予晶体管的特性。
这里说白了，就是把硼、磷注入，然后填充铜，按照设计图设置电路，连接金属线。
层层叠叠，密密麻麻像是高速公路一样，不过基本上都是毫米级别。
而最后。
就是最终的封装测试环节，装上散热片、衬底基片，基本上就算是一块完整的CUP了。
整个过程，看上去简单。
算不上多复杂。
甚至军用设备上，可以弄出很大很大一块硅片出来，用于处理超复杂的数据和指令。
但。
随着时代的进步，需求越来越高，这看上去不复杂的东西，就变的越来越复杂了。
说的最简单的。
就是每一年手机芯片的大小基本不变，但里面的线路却越来越复杂，一块体积不大的晶圆上，需要做越来越多的工作，处理更多的指令。
这就需要，一块芯片上有更多的线路，有更精准和细微的通道。
而光刻，就成了其中非常重要，同时也是最开始便非常关键的环节。
光刻技术，决定了这块芯片上，可以做更多的东西。
而目前国际上最顶尖的技术，已经达到了193
m的光刻技术，如今即使是尼康之类的扛把子，也还在研究如何突破193
m的技术。
和后世动不动7
m自然是有区别的，但在这个年代，193本身就是一个难以逾越的门槛。
别看似乎差的很多。
但国内……
193是啥？
不敢想，完全不敢想。
毕竟停滞了这么多年的光刻技术，别说193
m了，即使是265
m都还是一道巨大的门槛，拦住了很多人。
“这东西需要一点点的磨，一点点的研发，一点点的钻研。”
“类似霓虹那边。”
“无数人力物力和资源全部投入，才能够拿下霸主地位。