芯片生产能力和工艺良品率。
芯片面积和缺陷密度，与晶圆表面地缺陷密度对应，芯片地尺寸也对晶圆电测良品率有一定的影响。
电路密度和缺陷密度，晶圆表面的缺陷通过使部分芯片发生故障从而导致整个芯片失效。有些缺陷位于芯片不敏感区，并不会导致芯片失效。
然而，由于日减小的特征工艺尺寸和增加的元器件密度，电路集成度有逐渐升高的趋势。这种趋势使得任何给定缺陷落在电路有源区域的可能性增加了。
……
整体良品率随几个主要的因素变化。
第一列是特定电路的集成度。电路集成度越高，各种良品率的预期值就越低，更高的集成度意味着特征图形尺寸的相应减小。
第二列给出了生产工艺的成熟程度。在产品生产的整个生命周期内，工艺良品率的走势几乎都呈现S弯曲的特性。
在赵鑫一群人的努力之下，进行一些工艺上的改进，芯片的良品率真的提升了。
从最开始的78%然后升到了83%。
虽然还 没有达到陆舟9的要求，但至少这已经是一个很好的开始。
毕竟这是他们生产的第一代芯片，而且直接跳过了当前主流的3微米芯片，在工艺上肯定没有3微米芯片那么成熟，在进行批量生产的时候，肯定还需要摸索规律。
这也是需要他们一群科研工作者进行研究，改良工艺。
工艺是生产制造中关键的一环。
越是成熟的工艺，就越能提升良品率以及降低成本。
随着一段时间的研究改良，目前良品率稳定在了85%。
“老板，我们短时间内只能做到85%的良品率。”赵鑫有点不好意思，觉得自己有点辜负了陆舟的期望。
他们团队遭遇到了一个小小的瓶颈。
整体工艺良品率是3个主要的乘积。这个数字以百分数表示，给出了出货芯片数相对最初投入晶圆上完整芯片数的百分比。